一、倒装芯片及其常见的形式（论文文献综述）
崔大圣,刘峰,王璇,文艺[1]（2021）在《光电微系统技术发展综述》文中指出光电微系统具有探测精度高、处理速度快、传输通量大等优势,在信息传输、目标探测和光子处理等方面具有广泛应用。本文综合国内外光电微系统产品和技术现状,重点从信息传输、目标探测和光子处理三个方面展开叙述,讨论了激光器、调制器、波导等光电器件,并对三维集成技术和光电微系统平台进行简介。简述了国内外有关光电微系统的发展计划,提出了国内发展独立的微系统平台和相关技术的迫切性和必要性。
邢前[2]（2021）在《电热力作用下系统级封装（SiP）的力学仿真分析》文中研究说明系统级封装（System In a Package,SiP）是通过键合丝、倒装焊、芯片堆叠等封装工艺将多个芯片或元件封装成的一个子系统,它有着信息化、智能化、一体化的优点,但是随着电子器件的小型化、模块化、高可靠性化等要求使得SiP的可靠性问题受到严峻挑战。本文针对某型号SiP,通过应用环境的分析确定敏感环境条件,进行常见失效分析确定敏感部位。利用ANSYS有限元软件模拟SiP整体和局部敏感部位在热应力、机械应力和电热力多物理场耦合条件下的可靠性分析。研究结果表明:（1）对于热应力条件下的可靠性分析。分析SiP的热应力敏感环境主要为温度循环条件,敏感部位为TSV（Through Silicon Via）转接板中焊球层的四边和四角。由于粘塑性本构的原因,发现低温情况下对焊球的结构可靠性比高温情况下要差,最大应力出现在-55℃情况下四角焊球与TSV转接板的连接处,利用Manson-Coffin公式计算了焊球的热疲劳寿命,结果满足航天环境应用要求。针对局部位置的热可靠性分析发现,键合丝的薄弱位置在焊盘处,易发生断裂;芯片堆叠的薄弱位置为粘结层与芯片间的四边四角,易发生芯片翘曲;倒装焊的薄弱位置为焊球层的底边和四角,易发生根部断裂。（2）对于机械应力条件下的可靠性分析。分析SiP机械应力敏感环境主要为机械冲击、随机振动和恒定加速度条件,敏感部位为外引脚的四角和四边,随机振动条件下的应力最大值只是热应力下的10%,主要失效原因是机械疲劳寿命,通过Steinberg三区间法和Morrow修正的Coffin-Manson公式对外引脚处在随机振动条件下的疲劳寿命进行预测,结果满足航天环境应用要求。针对局部位置的机械可靠性分析发现,键合丝在冲击条件下中段的位移较大,易发生搭丝失效问题;外引脚对于冲击环境有缓振的作用,且根部易发生断裂。（3）对于多物理场条件下的可靠性分析。通过耦合关系的简化确定电热单向耦合,热力双向耦合的形式。进行可靠性分析发现,热应力导致的损伤比机械应力下的损伤更加明显,通过损伤叠加的办法求得耦合条件下的疲劳寿命,结果满足航天环境应用要求。本文工作完善了SiP可靠性分析的流程,针对SiP整体开展敏感环境下的可靠性分析,进而判断薄弱位置,指导细部结构的可靠性分析。相较于单一细部结构可靠性分析对于产品设计和工程应用更有实际意义。
蒋巍[3]（2021）在《基于InP的太赫兹放大器关键技术研究》文中提出太赫兹波处于电子学向微观光子学的过渡阶段,兼具微波辐射与光波辐射的双重特性,因而在太赫兹通信、太赫兹雷达、太赫兹检测等方面具有广阔的应用前景。太赫兹放大器作为太赫兹收发前端的重要组成部分,其作用在于对发射和接收的信号进行放大。本文对国产InP DHBT（双异质结双极型晶体管）开展了小信号建模、太赫兹放大器单片设计研究,并对太赫兹单片封装技术进行了研究。主要研究内容包括:（1）InP DHBT小信号模型研究。针对国内InP DHBT太赫兹模型缺乏的现状,根据0.25 μm InPDHBT工艺的测试数据对小信号模型进行参数的提取和拟合优化,最终小信号模型在0.1-40GHz全频带多偏置点上与实测S参数达到了良好的拟合结果,并为之后的放大器单片设计奠定基础。（2）太赫兹放大器单片设计。鉴于国内缺少性能优良的太赫兹频段放大器单片,本文分别在220 GHz、320 GHz两个关键频段设计了两款太赫兹单片放大器,包括功率合成放大器和小信号放大器,同时采用“单元整体法”的设计思路,克服了偏置电路和射频通路在太赫兹频段分别仿真引入的失配问题。（3）太赫兹单片封装技术研究。1)针对金丝键合在太赫兹频段寄生效应明显、损耗较大以及倒置共面波导装配难度大的问题,提出一种倒置微带线封装结构,该结构不仅不需要金丝连接,而且装配难度较小。测试结果表明,该结构在110-170 GHz内的单端插入损耗为0.9-1.8 dB。2)针对微带线-单片金丝键合方式在太赫兹频段损耗较大的问题,本文对不同的过渡结构以及金丝键合连接方式进行了研究,同时设计了多款不同频段的E面探针-共面波导过渡结构,并采用共面波导-单片金丝键合的连接方式对相应的无源结构进行了装配和测试,测试结果表明,共面波导-单片金丝键合型封装结构在110-170 GHz、210-270 GHz内的单端插入损耗分别为0.45-1.75 dB、0.9-2.3 dB。3)为了进一步研究太赫兹单片封装技术,分别采用不同的封装形式和不同的封装结构在66-115 GHz、110-170 GHz、210-270 GHz频段对放大器芯片进行模块研制,以此来验证和比较倒置微带线结构、微带线-单片金丝键合型封装结构、共面波导-单片金丝键合型封装结构的性能。其中基于倒置微带线结构封装的放大器模块,在120-170 GHz内的单端封装损耗在1.1 dB以内,这也是现有公开文献中首次报道采用倒置微带线结构封装的太赫兹放大器模块。
王筱[4]（2020）在《硅光子模斑转换器的设计及制备》文中研究表明楔形模斑转换器可以绝热地调节模斑尺寸以使其匹配耦合到光纤,其具备形状直观,封装简易,耦合效率高,易于集成等优点而成为国内外研究的热点。随着光通讯、光存储、光开关、人工智能等领域的出现和发展,硅光子模斑转换器逐渐实用化,为人们带来极多便利。目前国内外楔形模斑转换器的工艺制作多使用灰度掩膜版、电子束灰度曝光、阴影镀膜、阴影刻蚀、湿法腐蚀等方法,工艺复杂、制作周期长、成本较高,可重复性低且难以大规模生产,很难从实验室走向具体应用。因此,本文开展楔形模斑转换器新制备方法的研究,并对大端面楔形模斑转换器中的模式变换进行研究,主要研究内容为:（1）对光波导基础理论、光波导与光纤进行对接时产生耦合损耗的原因进行分析。通过计算设计优化楔形参数,得到入射光波长为1550nm时,模斑转换器端面尺寸至少为2μm×2μm,楔形长度大于18μm,可达最佳耦合效率,使其在与光纤对接时的耦合损耗大大减小。（2）对设计的楔形模斑转换器进行制备。通过紫外光刻和深硅刻蚀制作宽1μm,高0.22μm侧壁陡直的耦合光波导,根据直接键合理论对键合参数进行优化,得到空隙小于10nm的键合界面,通过步进式重复曝光系统与高温热回流相结合的新方法,优化曝光时间至20ms/次,在160℃下回流1min等参数,在键合片上制备了长21μm,端面尺寸约为3μm×3.5μm的楔形模斑转换器,模拟得到其耦合损耗约为-0.3d B,测试得到器件耦合损耗为-3d B。（3）对大端面楔形转换器进行模式转换的研究。通过对光波导模式耦合理论的研究,利用FDTD软件对光入射至大端面的转换器中的模式变换进行模拟仿真,得到楔形长度为100μm和150μm,宽度为5μm,高度为1μm,波导宽度为1μm,高度为0.22μm时,楔形高度0.1-0.3μm区间内存在模式变换的现象,光斑由一个转换为两个,并通过模拟得到耦合效率分别在98%和93%以上。对光波导与楔形的对准位置进行耦合效率的模拟,得到波导未对准误差由0.5μm增至1μm时,耦合效率由92%降低至75%。
屈坤[5]（2020）在《220 GHz固态放大技术研究》文中提出太赫兹波具有带宽宽,穿透力强,光子能量低的特性,可应用于下一代的通信、安检和医疗检测领域。由于太赫兹潜在的巨大价值,国内外研究机构先后开展了相关的研究工作。作为太赫兹系统收发前端的重要组成部分,太赫兹放大器性能的好坏决定着整个太赫兹系统的性能。因此,太赫兹固态放大电路也受到越来越多的关注。本文主要关注固态太赫兹放大技术,围绕频率220 GHz这个衰减相对较小的“大气窗口”,重点研究了磷化铟（InP）单片放大器的设计及放大器的封装技术,并搭建了太赫兹通信系统收发前端的部分电路。在太赫兹功率放大器的研究中,本文先设计了一款平面空间功率合成（IPS）功分器,然后根据单片设计指标和可选工艺线,利用IPS功分器,采用0.5μm InP DHBT工艺设计一款六路八级功率放大器单片,其仿真数据显示,在205-235GHz,该放大器单片拥有大于10 dB的小信号增益,在220 GHz频点拥有13.1dBm的饱和输出功率。接着,利用国产低噪声放大器芯片进行了放大器模块研究。在模块化过程中,将紧凑微带单元（CMRC）低通滤波器放置在芯片直流端,利用其在太赫兹频段隔离信号的特性,防止射频信号向直流端泄漏,提升了模块性能。测试结果表明,该模块在200-240 GHz的小信号增益均在10 dB以上,在203-217 GHz小信号增益达到16-18 dB,在220 GHz频点的P1dB为3.2 dBm。对比芯片在片测试结果,整体趋势与芯片相同,推算出该低噪声放大器单端封装损耗在2 dB以内。进一步,利用低噪声放大器成功的封装经验,采用国产的两款220 GHz功率放大器芯片进行了模块封装,测试结果表明,InP HBT功率放大器模块最大饱和输出功率大于4 dBm,是国内公开报道中第一款220 GHz频段HBT功率放大器模块。InP HEMT功率放大器模块在224 GHz饱和输出功率达到10 dBm,这是国内公开报道中第一款饱和输出功率达到10 dBm的220 GHz功率放大器模块。最后,利用封装好放大器模块结合课题组研制的其他功能单元,共同搭建了一套220 GHz太赫兹通信系统的收发前端。经过测试,在7米范围内,采用16QAM调制,七个载波聚合,达到45 Gbps的传输速度。该太赫兹通信收发前端为6G通信技术研发奠定了一定的基础。
魏纯纯[6]（2020）在《微纳米Al对三维封装Sn钎料改性及可靠性研究》文中研究指明现代微电子技术发展已经迈入集成系统芯片和模块化芯片时代,三维封装通过在立体空间上实现叠层芯片模块化大大减小了体积,与此同时,钎焊焊点作为机械连接以及电气连接的关键部分,承受的负荷也将越来越重。为提高焊点的可靠性,通过在钎料基体中添加微纳米颗粒制备复合钎料是目前使用的有效手段之一。本文采用机械混合法制备Sn-x Al（x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5wt.%）复合钎料,首先通过对比不同微纳米Al添加量对复合钎料的物理性能以及钎焊性能的影响,选择最优添加量,接着以Cu/Sn-x Al/Cu焊点作为研究对象,系统地讨论了不同键合时间下,微纳米Al强化相对界面组织形貌以及力学性能的影响规律,最后研究了在时效以及热循环过程中,焊点显微组织生长以及力学性能。本文研究结果如下:研究不同微纳米Al添加量对钎料的影响结果为:微纳米Al颗粒的添加对Sn基复合钎料的熔点影响较小,复合钎料的润湿性随着微纳米Al添加量的增加先增强后减弱,当微纳米Al颗粒的添加量为0.3wt.%时,钎料润湿铺展面积最大。Sn-x Al/Cu焊点界面Cu6Sn5相金属间化合物生长厚度随着添加量的增加先减少后增加,Sn-0.3Al/Cu焊点Cu6Sn5的厚度最小,为1.84μm。微纳米Al强化相可以有效提高焊点剪切强度,当添加量为0.3wt.%时,焊点剪切强度显着提高了45.6%,观察断口组织可以发现,当微纳米Al添加量为0.3wt.%时,韧窝数量最多、韧窝最深。研究最优微纳米Al添加量对Cu/Sn-x Al/Cu焊点的影响结果为:Cu6Sn5的晶粒尺寸较大,微纳米Al颗粒倾向于吸附在金属间化合物的晶界处,细化晶粒尺寸,阻隔原子的相互扩散,降低了界面Cu6Sn5相和Cu3Sn相金属间化合物的生长厚度,部分微纳米Al参与反应生成Sn-Al-Cu化合物,提高了焊点的剪切强度,键合时间为30min时,焊点剪切强度提高了25.7%。焊点断裂模式为混合断裂,断口形貌中存在类似于“台阶”的解理断裂特征以及“岛状”的沿晶断裂面。研究时效以及热循环过程中焊点组织生长以及剪切力学性能结果为:等温时效过程中,Sn焊点与Sn-0.3Al焊点Cu3Sn相化合物的生长速率分别为8.94×10-2和8.34×10-2,时效时间为500h时,焊点剪切强度分别下降了35.6%和27.4%,焊点断裂模式为混合断裂。热循环过程中,Sn焊点与Sn-0.3Al焊点Cu3Sn均有所增加,生长厚度分别为5.07μm和4.28μm,Sn-0.3Al焊点剪切强度较高,下降速率较慢,根据断口组织分析,发现存在组织成分为Cu3Sn的小韧窝,主要断裂模式为混合断裂。
陈跃,徐文博,邹军,石明明,张子博,庞尔跃,李超,邵鹏睿,徐慧[7]（2020）在《Micro LED研究进展综述》文中指出基于近代显示技术的发展背景,对比传统的LED显示技术分析了Micro LED技术的发展潜力,总结出Micro LED所具有的显示技术优势;从Micro LED发展进程与技术原理出发,系统阐述了目前存在的三大封装工艺特点即Micro LED全彩化技术、巨量转移技术、微缩制程技术;介绍了当前Micro LED的三种驱动模式即PM无源选址驱动、AM有源选址驱动、半有源驱动;综述了当前Micro LED驱动的研究进展以及商业化应用,并且对研究方法进行评述;展望了Micro LED进一步研究方向,对实际研究和应用具有一定作用。
范海东,陈炫宏,罗盛炜,李清毅,赵春晖[8]（2019）在《基于图像处理的集成电路封装质量检测方法》文中研究说明集成电路（Integrated Circuit, IC,又称芯片）封装过程是集成电路制造业中关键生产过程,封装质量的优劣直接影响到成品芯片的可靠性和使用寿命,进而制约着电子产品的整体性能。为了在生产过程中监测并保证芯片的封装质量,对集成电路的封装质量的检测必不可少。从封装过程的工艺特性入手提出了一种基于图像处理手段的集成电路封装溢料的自动检测与计算方法,实现了封装溢料状况的定量测量。这一方法对于实现集成电路封装过程的质量闭环控制有着较大的意义。
罗心月[9]（2019）在《三维集成电路TSV阵列热特性研究》文中指出随着芯片集成度的不断增长,基于硅通孔（TSV）的三维集成技术应运而生。由于其可提供芯片之间的垂直互连,从而极大地降低了全局互连长度,使芯片互连延时及功耗得以改善,成为实现系统高密度集成的关键技术之一。但是随着半导体工艺尺寸的降低,互连线的自热效应加剧,芯片自身功率密度增加,键合层材料导热性差等因素直接导致其面临严峻的热可靠性问题。因此研究三维集成电路中TSV阵列的热特性变得非常迫切。本文针对TSV阵列,基于阵列结构参数、阵列排布方式以及电热协同优化等方面,使用COMSOL有限元分析软件,系统地分析了TSV阵列的热特性。能够对未来三维集成电路中TSV阵列的热可靠性设计提供有力参考。首先,基于国内外研究现状确定TSV阵列基本参数,并通过正交试验得出TSV阵列结构参数,包括TSV半径、间距、绝缘层厚度及材料等对其最高温度影响的主次顺序以及最优参数组合,同时建立了上述四个结构参数与阵列最高温度之间的多元二次回归模型,并通过计算其与有限元仿真之间的误差来验证回归模型的准确性。其次,为了体现所提出新型正三角形排布方式在散热性能上的优势。构建TSV阵列的等效热导率模型,并验证其正确性,利用上述模型计算并对比正三角形及传统矩形TSV阵列排布下的等效热导率,得出正三角形排布方式在导热性能上优于矩形的结论。同时通过有限元手段对比上述两种排布下TSV基本单元以及4-TSV阵列的温度分布,进一步验证上述结论。最后,从电场和热场相互耦合的机制出发,利用COMSOL分析了2-TSV和4-TSV之间的热串扰及TSV间距和氧化层厚度对串扰的影响,同时协同分析了分布式、分组式以及行重复式的信号串扰噪声以及其在直流信号、周期脉冲以及ESD脉冲下的瞬态热响应,并对信号脉冲宽度和幅值等影响其电热响应的因素进行了分析,力求得出信号噪声串扰小并且散热性能好的阵列排布。
冯海科[10]（2019）在《功率MOSFET器件分层失效检测技术与失效机理研究》文中进行了进一步梳理近年来,随着我国经济的持续快速发展,对节能环保的要求、低碳生活的要求变得日趋重要,人们对能量转化与应用的管理需求日益增加。在功率转换方面,对功率MOSFET的需求也在逐渐增加。而在功率MOSFET的应用中,器件可靠性愈发重要,这决定了整个应用系统的稳定性。目前,功率MOSFET封装中的分层问题受到关注,成为一个研究热点,本文将对功率器件分层失效和检测问题进行研究。首先,本文对功率器件的发展进行了简单分析。介绍了功率器件的分类和性能特点,并对第三代宽禁带半导体发展进行了简要分析。然后对功率MOSFET的封装进行了简介,接着对功率MOSFET的分层失效进行了介绍,并分析了功率MOSFET分层的国内外研究现状。其次,分析了器件的分层,包括分层的定义、起因和危害。通过国内外对分层的判定标准,分析了分层检测的重要性。随后对分层常用的检测手段超声波扫描显微检测技术进行介绍,以便对后续的结果进行分析与研究。再次,研究了分层的失效问题。分析了塑封料与引线框架的分层失效,并研究了分层面积对器件电性能和热性能的影响因素。结果表明,分层面积越大,器件的结温越高,热阻越大。分析了芯片与引线粘结层的分层失效,芯片热阻增加,引起内部温度升高,载流子迁移率降低,导致器件导通电阻Rdson增加了111.5%,而正常芯片仅增加了66.7%。此外,这种过热效应甚至会造成芯片EOS失效。最后,分析了分层检测中对样品检测结果有影响的因素。研究了探头频率,样品厚度,扫描增益,表面能量补偿,样品浸入时间对分层检测结果的影响。结果表明,对于较厚的产品,使用频率较低的探头;而对于较薄的样品,需使用频率较高的探头;扫描增益使回波能量在6080%之间,扫描的图像分辨率更高;对于表面存在凹凸不平的产品,应当使用表面能量补偿的扫描方式;分层裂纹会导致水浸入封装内部,引起分层测量结果的误判,需将SOP8封装产品的浸入时间控制在1小时内。本文的研究结果对功率器件的分层失效分析和检测具有一定的指导意义。
二、倒装芯片及其常见的形式（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、倒装芯片及其常见的形式（论文提纲范文）
（1）光电微系统技术发展综述（论文提纲范文）
| 引言 |
| 1 光电微系统应用 |
| 1.1 信息传输 |
| 1.2 目标探测 |
| 1.3 光子处理 |
| 2 光电微系统关键技术 |
| 2.1 光电微系统器件 |
| 2.1.1 集成激光器 |
| 2.1.2 调制器 |
| 2.1.3 其他器件 |
| 2.2 光电微系统制备和集成 |
| 2.2.1 光电微系统平台 |
| 2.2.2 光电微系统集成技术 |
| 3 光电微系统的发展规划 |
| 4 结束语 |
（2）电热力作用下系统级封装（SiP）的力学仿真分析（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 引言 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 SiP可靠性研究现状 |
| 1.3 SiP常见失效分析 |
| 1.3.1 倒装焊常见失效分析 |
| 1.3.2 TSV硅通孔常见失效分析 |
| 1.3.3 键合丝常见失效分析 |
| 1.3.4 芯片堆叠常见失效分析 |
| 1.4 多物理场耦合研究现状 |
| 1.5 论文研究内容 |
| 2 SiP等效仿真模型的建立及简化 |
| 2.1 前言 |
| 2.2 SiP结构模型 |
| 2.3 SiP等效仿真方法研究 |
| 2.3.1 子模型法 |
| 2.3.2 非重点部位等效简化 |
| 2.4 SiP等效模型的建立 |
| 2.4.1 SiP整体等效仿真模型 |
| 2.4.2 芯片堆叠及键合丝等效模型 |
| 2.4.3 倒装焊等效仿真模型 |
| 2.4.4 TSV转接板等效仿真模型 |
| 2.5 网格划分 |
| 2.5.1 网格划分方法 |
| 2.5.2 网格无关性测试 |
| 2.6 本章小结 |
| 3 热应力加载下SiP的可靠性分析 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 热应力可靠性基本理论 |
| 3.2.1 传热学基本理论 |
| 3.2.2 焊点材料的统一本构模型 |
| 3.2.3 热疲劳寿命理论 |
| 3.3 热应力下SiP有限元模型的计算 |
| 3.3.1 定义材料属性 |
| 3.3.2 确定边界条件 |
| 3.3.3 确定热应力负载条件 |
| 3.4 热应力下SiP可靠性 |
| 3.4.1 SiP整体可靠性分析 |
| 3.4.2 键合丝可靠性分析 |
| 3.4.3 芯片堆叠可靠性分析 |
| 3.4.4 倒装焊可靠性分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 机械应力加载下SiP的可靠性分析 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 机械应力疲劳可靠性基本理论 |
| 4.3 机械应力下SiP有限元模型的计算 |
| 4.3.1 确定边界条件 |
| 4.3.2 确定机械应力负载条件 |
| 4.4 机械应力下SiP可靠性 |
| 4.4.1 SiP整体可靠性分析 |
| 4.4.2 键合丝可靠性分析 |
| 4.4.3 芯片堆叠可靠性分析 |
| 4.4.4 倒装焊可靠性分析 |
| 4.4.5 CCGA可靠性分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 5 电热力多物理场耦合下SiP的可靠性分析 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 多物理场耦合可靠性分析理论 |
| 5.2.1 多物理场的耦合关系 |
| 5.2.2 SiP热振耦合疲劳计算路线图 |
| 5.3 SiP多物理场耦合形式简化 |
| 5.3.1 电场与温度场的耦合 |
| 5.3.2 力场与温度场的耦合 |
| 5.3.3 力场与电场的耦合 |
| 5.3.4 耦合形式的确定 |
| 5.4 多物理场耦合作用下SiP有限元仿真计算 |
| 5.4.1 有限元仿真计算设置 |
| 5.4.2 多物理场耦合下SiP的求解分析设置 |
| 5.5 多物理场耦合作用下SiP可靠性 |
| 5.5.1 SiP整体的结构可靠性分析 |
| 5.5.2 倒装焊结构的疲劳可靠性分析 |
| 5.6 本章小结 |
| 6 结论 |
| 6.1 论文总结 |
| 6.2 后续工作展望 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（3）基于InP的太赫兹放大器关键技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景与意义 |
| 1.2 太赫兹放大器国内外发展动态 |
| 1.2.1 InP器件小信号模型国内外发展动态 |
| 1.2.2 InP放大器单片国内外发展动态 |
| 1.2.3 InP放大器模块封装国内外发展动态 |
| 1.3 论文研究内容及章节安排 |
| 第二章 基于InP DHBT的小信号模型研究 |
| 2.1 InP DHBT器件 |
| 2.1.1 InP DHBT工作原理 |
| 2.1.2 InP HBT高频特性 |
| 2.2 基于0.25μ)m InP DHBT工艺小信号模型 |
| 2.2.1 在片校准与去嵌 |
| 2.2.2 InP DHBT小信号模型参数分析 |
| 2.2.3 InP DHBT小信号模型参数提取与拟合优化 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 太赫兹放大器单片设计 |
| 3.1 220 GHz功率合成放大器设计 |
| 3.1.1 功率合成放大器设计流程 |
| 3.1.2 工艺线与晶体管 |
| 3.1.3 220 GHz单路放大器仿真设计 |
| 3.1.4 功率合成 |
| 3.1.5 220 GHz四路功率合成放大器 |
| 3.2 320 GHz小信号放大器设计 |
| 3.2.1 小信号放大器设计步骤 |
| 3.2.2 小信号模型选择与模型匹配 |
| 3.2.3 “单元整体法”设计匹配电路 |
| 3.2.4 整版版图联合仿真 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 太赫兹单片封装技术研究 |
| 4.1 过渡结构 |
| 4.1.1 E面探针-微带线过渡结构 |
| 4.1.2 E面探针-共面波导过渡结构 |
| 4.2 金丝键合 |
| 4.2.1 微带线-单片金丝键合 |
| 4.2.2 共面波导-单片金丝键合 |
| 4.3 倒置微带线结构 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 太赫兹放大器模块研制 |
| 5.1 66-115 GHz功率放大器模块 |
| 5.1.1 功放腔体设计 |
| 5.1.2 直流电路设计 |
| 5.1.3 腔体加工及装配 |
| 5.1.4 调试测试过程 |
| 5.2 110-170 GHz低噪声放大器模块 |
| 5.2.1 基于倒置微带线的低噪放模块 |
| 5.2.2 共面波导-单片金丝键合型低噪放模块 |
| 5.2.3 两种不同封装形式性能对比 |
| 5.3 210-270 GHz低噪声放大器模块 |
| 5.3.1 低噪放模块设计与测试 |
| 5.3.2 两种不同封装结构性能对比 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 主要内容 |
| 6.2 未来展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（4）硅光子模斑转换器的设计及制备（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 硅基光互联集成芯片发展概述 |
| 1.2 硅基光互联集成芯片与光纤间耦合 |
| 1.2.1 光纤与波导耦合问题 |
| 1.2.2 光纤与波导耦合方式 |
| 1.3 楔形模斑转换器国内外研究进展 |
| 1.4 论文的研究意义及工作 |
| 1.4.1 论文研究意义 |
| 1.4.2 论文工作 |
| 第2章 楔形模斑转换器相关理论与设计 |
| 2.1 光波导基本理论 |
| 2.2 光纤与波导耦合机理 |
| 2.2.1 对准偏差损耗 |
| 2.2.2 菲涅尔反射损耗 |
| 2.2.3 模场失配损耗 |
| 2.3 参数设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 楔形模斑转换器的制作工艺 |
| 3.1 楔形转换器的制作 |
| 3.1.1 SOI键合工艺 |
| 3.1.2 步进光刻制作楔形转换器工艺 |
| 3.2 楔形模斑转换器制作流程 |
| 3.3 本章小结 |
| 第4章 器件制备的结果与分析 |
| 4.1 耦合波导制作结果与分析 |
| 4.2 键合工艺制作结果与分析 |
| 4.3 楔形模斑转换器制作结果与分析 |
| 4.4 器件模拟及测试结果与分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 楔形模斑转换器中高阶模式的研究 |
| 5.1 模式耦合理论的研究 |
| 5.1.1 波导本征方程 |
| 5.1.2 模式耦合理论 |
| 5.2 楔形模斑转换器模型的建立 |
| 5.3 楔形模斑转换器中激发高阶模式的模拟结果及分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 结论与展望 |
| 6.1 结论 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
| 致谢 |
（5）220 GHz固态放大技术研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景与意义 |
| 1.2 太赫兹放大技术国内外发展动态 |
| 1.2.1 InP放大器单片国内外动态 |
| 1.2.2 InP放大器模块封装国内外动态 |
| 1.3 论文研究内容及章节安排 |
| 第二章 基于InP晶体管的太赫兹放大技术 |
| 2.1 InP HBT工艺 |
| 2.1.1 HBT器件特性 |
| 2.1.2 工艺线介绍 |
| 2.2 放大器单片设计理论 |
| 2.2.1 放大单元 |
| 2.2.2 匹配电路 |
| 2.2.3 功率合成结构 |
| 2.3 封装技术 |
| 2.3.1 E面探针结构 |
| 2.3.2 金丝键合 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 220 GHz片上合成网络和放大器单片设计 |
| 3.1 平面空间功率合成(IPS)功分器 |
| 3.2 220 GHz单片电路设计 |
| 3.2.1 工艺线和晶体管 |
| 3.2.2 电路的拓扑结构 |
| 3.2.3 源牵引和负载牵引 |
| 3.2.4 匹配电路 |
| 3.2.5 功率放大器单片版图 |
| 3.3 本章小结 |
| 第四章 220 GHz放大器封装技术研究及其应用 |
| 4.1 过渡结构仿真设计 |
| 4.2 低通滤波器仿真设计 |
| 4.3 低噪声放大器模块 |
| 4.3.1 腔体设计 |
| 4.3.2 直流板设计 |
| 4.3.3 加工装配 |
| 4.3.4 测试调试 |
| 4.4 功率放大器模块 |
| 4.4.1 HBT功率放大器模块 |
| 4.4.2 HEMT功率放大器模块 |
| 4.5 220 GHz太赫兹通信系统收发前端 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 主要工作内容 |
| 5.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（6）微纳米Al对三维封装Sn钎料改性及可靠性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题研究背景及意义 |
| 1.2 三维封装键合工艺研究现状 |
| 1.2.1 三维封装主要键合技术 |
| 1.2.2 固液互扩散低温键合技术 |
| 1.3 三维封装SLID键合体系 |
| 1.3.1 SLID主要键合体系 |
| 1.3.2 Cu-Sn键合体系 |
| 1.4 微纳米颗粒增强复合钎料 |
| 1.5 本文主要研究内容 |
| 第二章 实验材料与方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验材料 |
| 2.3 实验方法与设备 |
| 2.3.1 钎料热性能分析 |
| 2.3.2 钎料润湿性测试 |
| 2.3.3 界面金属间化合物显微组织分析 |
| 2.3.4 界面金属间化合物晶粒取向分析 |
| 2.3.5 焊点接头剪切强度测试 |
| 2.3.6 焊点接头时效测试 |
| 2.3.7 焊点接头热循环测试 |
| 第三章 微纳米Al改性机理及其添加量研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微纳米Al改性机理 |
| 3.2.1 基于物理属性的改性机理 |
| 3.2.2 基于钎焊性能的改性机理 |
| 3.3 添加量与钎料性能关系 |
| 3.3.1 添加量与钎料熔化特性关系 |
| 3.3.2 添加量与钎料润湿特性关系 |
| 3.3.3 添加量与焊点界面组织关系 |
| 3.3.4 添加量与焊点接头剪切强度关系 |
| 3.4 微纳米Al添加量优化 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 微纳米Al对界面组织与力学性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 强化相对界面组织的影响分析 |
| 4.2.1 界面金属间化合物的能谱分析 |
| 4.2.2 界面金属间化合物的形貌 |
| 4.2.3 界面金属间化合物晶粒分布与取向 |
| 4.2.4 界面金属间化合物的生长 |
| 4.2.5 界面冷热两端金属间化合物的生长 |
| 4.3 强化相对焊点接头剪切性能的影响分析 |
| 4.3.1 焊点的剪切强度 |
| 4.3.2 焊点的断口组织 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 Sn-x Al复合钎料可靠性研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 强化相对焊点时效过程的影响研究 |
| 5.2.1 界面IMC层显微组织生长 |
| 5.2.2 界面IMC生长动力学分析 |
| 5.2.3 焊点剪切性能分析 |
| 5.2.4 焊点断口形貌分析 |
| 5.3 强化相对焊点热循环过程的影响研究 |
| 5.3.1 界面IMC层显微组织生长 |
| 5.3.2 焊点剪切性能分析 |
| 5.3.3 焊点断口形貌分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果(学术论文、发明专利等) |
（7）Micro LED研究进展综述（论文提纲范文）
| 引 言 |
| 1 Micro LED的发展进程 |
| 2 Micro LED的技术原理 |
| 3 Micro LED封装技术 |
| 3.1 Micro LED全彩化 |
| 3.2 巨量转移 |
| 3.3 微缩制程 |
| 4 Micro LED的驱动 |
| 4.1 PM无源选址驱动 |
| 4.2 AM有源选址驱动 |
| 4.3 半有源选址驱动 |
| 5 Micro LED的商业化应用 |
| 6 总结与展望 |
（9）三维集成电路TSV阵列热特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景及意义 |
| 1.2 课题技术背景 |
| 1.2.1 三维集成技术及其散热问题 |
| 1.2.2 TSV概述 |
| 1.2.3 相关研究现状 |
| 1.3 论文内容及结构 |
| 第二章 热场理论及研究方法 |
| 2.1 稳态传热和瞬态传热 |
| 2.2 传热基本方式 |
| 2.2.1 热传导 |
| 2.2.2 对流换热 |
| 2.2.3 热辐射 |
| 2.3 热阻基础理论 |
| 2.3.1 热阻定义 |
| 2.3.2 串联平壁 |
| 2.3.3 并联平壁 |
| 2.4 热分析研究方法 |
| 2.4.1 定解条件 |
| 2.4.2 有限元方法 |
| 2.4.3 COMSOL |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 TSV阵列热分布及其影响因素 |
| 3.1 TSV阵列热场分析 |
| 3.1.1 TSV阵列几何模型 |
| 3.1.2 有限元模型及网格剖分 |
| 3.1.3 设置激励及边界条件 |
| 3.1.4 仿真结果及分析 |
| 3.2 基于正交试验的TSV阵列温度优化 |
| 3.2.1 正交试验设计方法 |
| 3.2.2 基于正交表的试验设计 |
| 3.2.3 基于正交试验的TSV阵列温度分析 |
| 3.2.4 试验结果处理与分析 |
| 3.3 TSV阵列热参数模型 |
| 3.3.1 热参数模型建立 |
| 3.3.2 热参数模型验证 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 新型TSV阵列排布结构热特性研究 |
| 4.1 正三角形TSV阵列排布方式 |
| 4.2 TSV阵列等效热导率模型 |
| 4.2.1 TSV阵列热等效方法 |
| 4.2.2 等效热导率模型建立 |
| 4.2.3 等效热导率模型验证 |
| 4.3 TSV阵列排布结构等效热导率分析 |
| 4.4 TSV阵列排布结构仿真分析 |
| 4.4.1 基本计算单元的热分布 |
| 4.4.2 4-TSV阵列模型及其热分布 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 TSV阵列的电热耦合仿真研究 |
| 5.1 电热耦合分析原理 |
| 5.1.1 电流连续性方程 |
| 5.1.2 非线性场间耦合 |
| 5.1.3 激励信号 |
| 5.2 热串扰 |
| 5.2.1 2-TSV热串扰 |
| 5.2.2 4-TSV热串扰 |
| 5.2.3 双层4-TSV热串扰 |
| 5.3 TSV阵列电热耦合分析 |
| 5.3.1 三种信号TSV阵列 |
| 5.3.2 直流和周期脉冲下的温度响应 |
| 5.3.3 ESD脉冲下的温度响应 |
| 5.3.4 串扰噪声分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 研究展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（10）功率MOSFET器件分层失效检测技术与失效机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符号对照表 |
| 缩略语对照表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 功率器件的简介 |
| 1.1.1 功率器件的发展 |
| 1.1.2 功率器件的封装 |
| 1.1.3 功率器件的分层失效 |
| 1.2 国内外分层失效的研究进展 |
| 1.3 本文研究内容 |
| 第二章 功率器件分层的研究 |
| 2.1 分层的定义、起因和危害 |
| 2.2 分层的判定标准 |
| 2.3 本章小结 |
| 第三章 分层检测技术简介 |
| 3.1 超声波扫描显微检测原理 |
| 3.2 超声波扫描检测的模式 |
| 3.3 超声波扫描显微检测设备的介绍 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 分层失效的研究 |
| 4.1 试验样品 |
| 4.2 塑封料与引线框架的分层 |
| 4.2.1 分层问题的分析 |
| 4.2.2 分层面积对器件电性能和热性能的影响 |
| 4.3 芯片与引线框架粘结层的分层 |
| 4.3.1 分层问题的分析 |
| 4.3.2 分层对器件电性能和热性能的影响 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 分层检测影响因素的分析 |
| 5.1 频率探头的影响 |
| 5.2 扫描增益的影响 |
| 5.3 表面能量补偿的影响 |
| 5.4 样品进入时间的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
四、倒装芯片及其常见的形式（论文参考文献）
- [1]光电微系统技术发展综述[J]. 崔大圣,刘峰,王璇,文艺. 遥测遥控, 2021(05)
- [2]电热力作用下系统级封装（SiP）的力学仿真分析[D]. 邢前. 北京交通大学, 2021
- [3]基于InP的太赫兹放大器关键技术研究[D]. 蒋巍. 电子科技大学, 2021(01)
- [4]硅光子模斑转换器的设计及制备[D]. 王筱. 长春理工大学, 2020(01)
- [5]220 GHz固态放大技术研究[D]. 屈坤. 电子科技大学, 2020(07)
- [6]微纳米Al对三维封装Sn钎料改性及可靠性研究[D]. 魏纯纯. 南京航空航天大学, 2020(07)
- [7]Micro LED研究进展综述[J]. 陈跃,徐文博,邹军,石明明,张子博,庞尔跃,李超,邵鹏睿,徐慧. 中国照明电器, 2020(02)
- [8]基于图像处理的集成电路封装质量检测方法[J]. 范海东,陈炫宏,罗盛炜,李清毅,赵春晖. 控制工程, 2019(08)
- [9]三维集成电路TSV阵列热特性研究[D]. 罗心月. 西安电子科技大学, 2019(02)
- [10]功率MOSFET器件分层失效检测技术与失效机理研究[D]. 冯海科. 西安电子科技大学, 2019(02)